T0-247雙芯 1200V碳化硅肖特基二極管現(xiàn)貨

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碳化硅肖特基二極管

TO-247雙芯  650V
T0-3P內(nèi)絕緣 雙芯  650V
T0-247-2L單芯  650V
T0-247雙芯  650V
T0-247單芯  650V
T0-220單芯 1200V
T0-252單芯 1200V
T0-263單芯 1200V
T0-220單芯 1200V
T0-247-2L單芯  1200V
T0-247雙芯  1200V

新一代SiC肖特基二極管融合了普通SiC肖特基二極管和雙極pn結(jié)構(gòu)，從而具有非常高的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過壓特性。

 2.為了設(shè)計效率和外形尺寸*優(yōu)的CCM PFC，升壓二極管還必須具備以下一些特性：較短的反向恢復(fù)和正向恢復(fù)時間；*小的儲存電荷Q；低的漏電流和*低的開關(guān)損耗。過壓和浪涌電流能力非常重要，它們能夠用來處理PFC中由啟動和交流回落引起的浪涌和過電流。這些特性只有用碳化硅肖特基二極管(SiC肖特基二極管)才能實現(xiàn)。 

3.由于SiC肖特基二極管中缺少正向和反向恢復(fù)電荷，因此可以用更小的升壓MOSFET。這樣做除了成本得到降低外，器件溫度也會降低，從而使SMPS具有更高的可靠性。 
 
4.由于SiC肖特基二極管的開關(guān)行為獨立于正向電流(Iload)、開關(guān)速度(di/dt)和溫度，因此這種二極管在設(shè)計中很容易使用。在設(shè)計中采用SiC肖特基二極管能夠?qū)崿F(xiàn)*大的開關(guān)工作頻率(*高可達(dá)1MHz)，從而可以使用更小體積的無源器件。    *低的開關(guān)損耗和低的Vf能使用更小的散熱器或風(fēng)扇。另外，由于具有正的溫度系數(shù)，SiC肖特基二極管能夠非常方便地并行放置。   

5.改進(jìn)的浪涌電流能力  提供改進(jìn)的浪涌電流功能，允許針對應(yīng)用中的平均電流條件進(jìn)行設(shè)計，也就是說，大多數(shù)的啟動和AC回落引起的浪涌和過流能很好地獲得處理。在正常工作狀態(tài)，的行為與具有零反向恢復(fù)電荷的普通肖特基二極管沒什么兩樣，在大電流狀態(tài)其正向特性如同雙極pn二極管一樣，能夠顯著減少功率損耗。    由于改進(jìn)的浪涌電流能力使得在指定應(yīng)用中采用更低標(biāo)稱電流的二極管進(jìn)行設(shè)計成為可能。到目前為止，二極管的浪涌電流額定值仍是重要的設(shè)計考慮因素。  對實際應(yīng)用(6A IFX**代SiC肖特基二極管、PFC、寬范圍)進(jìn)行的測試證實了這些改進(jìn)：
6A**代SiC肖特基二極管足以用來處理啟動時的浪涌電流，結(jié)溫會升高到50℃。這種情況非常接近由于肖特基特性而引起的熱失控，在通常情況下可以使用更小體積的二極管。


肖特基二極管主要優(yōu)點：
1、正向壓降低，約只有一般硅二極管的一半。在下向?qū)〞r由于正向電壓低消耗的二極管上的功耗也小。
2、反向恢復(fù)時間小，比超快速恢復(fù)管還要小得多。在高頻電路中除了正向?qū)ü耐膺€有較大的功耗就是開關(guān)功耗，反向恢復(fù)時間越小開關(guān)功耗也就越小。

普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，*后導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀。

肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。

肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別：

硅管的初始導(dǎo)通壓降是0.5V左右，正常導(dǎo)通壓降是0.7V左右，在接近極限電流情況下導(dǎo)通壓降是1V左右；

鍺管的初始導(dǎo)通壓降是0.2V左右，正常導(dǎo)通壓降是0.3V左右，在接近極限電流情況下導(dǎo)通壓降是0.4V左右，

肖特基二極管的初始導(dǎo)通壓降是0.4V左右，正常導(dǎo)通壓降是0.5V左右，在接近極限電流情況下導(dǎo)通壓降是0.8V左右。

兩種二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流場合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，*后導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源。 肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒~! 前者的優(yōu)點還有低功耗，大電流，超高速~!電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~!快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。


肖特基二極管是利用金屬-半導(dǎo)體接面作為肖特基勢壘，以產(chǎn)生整流的效果，和一般二極管中由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。

肖特基二極體的導(dǎo)通電壓非常低。一般的二極管在電流流過時，會產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統(tǒng)的效率。

肖特基二極管和一般整流二極管*大的差異在于反向恢復(fù)時間，也就是二極管由流過正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時間。一般整流二極管的反向恢復(fù)時間大約是數(shù)百nS，若是高速二極管則會低于一百nS，肖特基二極管沒有反向恢復(fù)時間，因此小信號的肖特基二極管切換時間約為數(shù)十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數(shù)十pS。由于一般整流二極管在反向恢復(fù)時間內(nèi)會因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒有反向恢復(fù)時間及反相電流的問題。